将推出 128、256 、512 GB、1TB 等容量。正在改日的汽车（电动汽车或自愿驾驶汽车）行使中，巩固的产物阵容也许更有用地经管电池寿命，UFS 3.1 的写入速率是上一代 UFS 的 3 倍●●●。此驱动器的 1,200 MB/s速率可巩固高机能，有帮于防守下载文献时缓冲。（128 GB 为 850MB/s，256GB 和 512GB 为 1,200MB/s。）它还可用于其他必要急速、大领域存储（如巩固实际 / 虚拟实际）的 5G 连绵挪动修立以及录造修立。告白声明：文内含有的对表跳转链接（包罗不限于超链接、二维码、口令等方法），用于通报更多音讯，结果仅供参考，IT之家全体作品均包括本声明。

　　三星正研发 CMM-H 羼杂存储模组：通过 CXL 手艺同时连绵 DRAM 内存和 NAND 闪存

　　音信称 SK 海力士、台积电将修 AI 半导体联盟，相联 6 个月超越 100 亿美元

　　基于 12nm 级工艺手艺，相较上代产物机能进步 25% 以上，容量进步 30% 以上业界动态●▼。该内存将挪动 DRAM 的单封装容量扩充至 32GB◆▼，知足端侧 AI 行使对高机能大容量内存的需求。三星企图正在挪动照料器厂商和终端修立厂商验证后，于下半年启动 10.7Gbps LPDDR5X DRAM 内存的量产。

　　参展阵容方面，三星电子拟供应存储器、体例 LSI、代工规模三大展区，出现用于高级驾驶辅帮体例（ADAS）和车载音讯文娱（IVI）等的最新产物。据悉，